​台灣封測產業今年微增0.5% 堆疊、異質整合為封裝趨勢

出版時間:2019/10/23 10:55

工研院今日舉行「眺望 2020產業發展趨勢研討會」, 工研院觀察預測,2019全球IC封測業,因美中貿易戰使全球總體經濟不確定性增加,影響電子終端產品銷售下滑,加以中國大陸封測大廠持續以低價搶單策略影響,預期台灣封測業2019年產值為4956億元,較2018全年微幅成長0.5%。
 
工研院產科國際所分析師楊啟鑫指出,台灣IC封測廠去年第2季營收年成長達到7.3%的最高峰,之後受到中美貿易戰以及總經影響成長率下滑,進入今年第2季更陷入衰退,到了今年第3季,隨著貿易戰趨緩以及轉單效應持續發酵下,台灣封測產業成長率回升至2.2%。
 
另外,可也已發現到,過去中國IC封測大廠高成長的狀況已不復存在了,以今年的情況來看,長電的營收衰退幅度最大,不過華天、南通則維持成長的走勢。
 
展望未來封裝技術的趨勢,楊啟鑫指出,晶片異質整合封裝主要分為5大類,分別是封測廠為主、且自2000年以來開發已久之SiP on Substrate,此技術是將封測廠的打線、覆晶等技術融合在載板上實現,並搭配主被動及感測器等晶片,來實現客戶微型化需求,故大多以封測廠為主要供應商。
 
楊啟鑫表示,先進製程昂貴成本加速小晶片模式發展,小晶片是指由多個同質或者異質等較小的晶片組成的大晶片概念,先進製程晶片成本急遽上升,所以小晶片方式以提高良率以及降低成本下,將掀起導入最先進封裝的趨勢,超過一半應用於5G、AI的先進製程晶片預期會導入先進封裝技術。
 
另外,Fan-out等先進封裝也是近年來受到熱烈討論的議題。楊啟鑫表示,當線寬線距走向15/15 μm以下時,則逐漸以薄膜製程之繞線取代載板,典型的晶圓級扇出型封裝便將晶片模封並整合在薄膜繞線上,此階段製程以英飛凌之eWLB技術為典型;當線寬線距走向10/10 μm以下時,因晶片I/O數上升及較密的線寬線距使得製程難度開始提高,則以擅長良率調控之晶圓廠為主要角色,典型的技術則以台積電之整合型扇出型封裝技術InFO為要角,且已連續3年量產在蘋果手機AP中,2018年亦開始量產在穿戴手錶中。
 
當整合晶片數變多及線寬線距走向2/2 um以下時,則需將矽穿孔作在無主動元件之矽中介層當橋樑,除可橋接晶片I/O及載板間距落差外,亦可將晶片整合在高密度繞線上,以提高頻寬及降低功耗,此部份典型技術為台積電CoWoS技術;當晶片需更高效能時,則縮短晶片訊號溝通路徑,改以將晶片直接堆疊並以通過主動元件較短路徑之矽穿孔連接上下層晶片訊號,達到晶片高效能整合。
 
楊啟鑫表示,當昂貴的矽穿孔技術開始使用在矽中介層乃至3D-IC,雖可實現伺服器及AI等高效能運算所需高階晶片整合技術,然因大多整合昂貴的先進製程晶片及高頻寬記憶體等晶片,同時製程高難度亦降低製程良率,容易傷及先進高階晶片,是故技術開發主角已逐漸進入具先進製程晶片生產能力之晶圓廠時代,晶片整合技術已由後段構裝/封裝廠朝向前段晶圓廠之晶片層級堆疊整合趨勢開發。(楊喻斐/台北報導)


 

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