​紫光宏微電子佈局3D NAND封測 成功進入量產

出版時間:2019/01/10 07:35

紫光集團日前官方微信公眾號發文,宣佈旗下紫光宏茂微電子(上海)有限公司宣佈成功實現大容量企業級3D NAND Flash晶片封測的規模量產。
 
不過,據業界人士表示,紫光宏茂微電子的設備與技術都已經到位,產能也都準備好了,仍待紫光的訂單放量,現階段尚未達到經濟規模的目標。
 
紫光宏茂微電子(上海)有限公司原為南茂科技的全資子公司,2017年6月紫光集團通過旗下全資子公司西藏紫光國微出資收購其48%股權,成為其最大股東並實際主導經營。
 
2018年7月4日,宏茂微電子正式完成工商登記變更,公司名稱由宏茂微電子(上海)有限公司變更為紫光宏茂微電子(上海)有限公司,經過一系列戰略調整和轉型,紫光宏茂重點發展記憶體的封裝與測試,並將原有的驅動IC封測設備全部移回南茂台灣生產基地。
 
根據紫光集團存儲晶片戰略規劃,紫光宏茂自2018年4月起開始建設全新3D NAND Flash封裝測試產線,組建團隊、研發先進封測技術;2018年5月完成無塵室建置;2018年6月開始投片實驗;2018年9月完成產品初期驗證;2018年11月產品通過客戶內部驗證;2019年1月順利實現量產,為紫光存儲企業級SSD的3D NAND Flash晶片進行封測。
 
紫光宏茂將追求全系列記憶體封測的一站式服務提供者為目標,鎖定產品包括3D NAND Flash(Raw NAND,eMMC,UFS,eMCP,TF card)、2D NAND Flash、NOR Flash、DRAM、SRAM等記憶體的封裝和測試。
 
紫光集團表示,紫光宏茂企業級3D NAND Flash晶片封測成功量產,象徵著本土封測產業在3D NAND Flash先進封裝測試技術實現從無到有的重大突破,也為紫光集團完整記憶體產業鏈佈局落下關鍵一步棋。
 
目前,紫光集團在記憶體領域擁有長江存儲、西安紫光國芯、紫光存儲等系列子公司,涵蓋NAND Flash、DRAM等存儲產品的研發、製造、封測及模組等產業鏈佈局。
 
根據規劃,長江存儲將於2019年大規模量產64層堆疊的3D NAND Flash快閃記憶體,傳聞2020年將跳過96層堆疊的3D快閃記憶體,直接量產128層堆疊的3D快閃記憶體。(楊喻斐/台北報導)


 

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