被美國盯上 日媒:聯電DRAM開發將喊卡

出版時間:2019/01/05 12:43

《日本經濟新聞》引述知情人士說法報導,聯電(2303)將縮減該公司與中國合作夥伴福建晉華聯手推動的晶片計劃規模,聯電將把旗下DRAM團隊近半數人力移至該公司新職位,這是聯電朝停止開發記憶晶片跨出的第1步。

報導指出,聯電總計約有300名員工與福建晉華在台南聯手推動DRAM計劃,但聯電已向其中約140名工程師表示,他們將轉調內部其他職位。知情人士透露,聯電計劃退出記憶晶片開發事業是因為華府與北京當局關係緊張,儘管該公司曾把DRAM計劃視為未來成長引擎。

2016年5月聯電公布協助福建晉華開發專業DRAM技術的技術結盟,雙方將共同擁有未來的DRAM記憶體技術。不過,部分聯電主管擔心,與中國密切合作最終可能對聯電核心晶片代工事業構成威脅。美國去年10月底禁止福建晉華採購美國零組件,理由是福建晉華涉嫌竊取美國半導體業者美光(Micron)智慧財產權。

如果聯電退出DRAM技術開發計劃,中國建立自給自足半導體業的野心將再次受挫。DRAM晶片用於許多電子裝置,例如手機、伺服器、消費者電子產品和自動駕駛車,三星電子、SK海力士(SK hynix)和美光控制全球約96% DRAM晶片產量。(林文彬/綜合外電報導)

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更新12:43

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