遭美指控竊取美光機密 聯電發聲明要自我防衛

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出版時間:2018/11/09 22:40
聯電總部外觀。資料照
聯電總部外觀。資料照

美中貿易戰打的火熱,更是牽連到台灣的聯電(2303)受到池魚之殃;日前聯電遭到美國司法部指控聯電及聯電3 位前高級主管,與中國晉華集成電路竊取美商美光商業機密,聯電並可能處以最高200億美元罰金,震撼各界,雖聯電發布重訊表示將「嚴正以待」,但外界仍有疑慮,對此聯電今晚發出聲明稿澄清自己的清白,並希望能以正視聽。
 
聯電在聲明稿中指出,聯華電子是國際公認、台灣起家的半導體公司,38年來,在全球的供應鏈上,已經成為不可或缺的一員,先進量產技術達14奈米。
 
對比之下,美光公司爭執所涉及的DRAM技術,是32奈米,在聯華電子的計劃啟動當時,已經是落後幾個世代的技術。
 
社會上有一個錯誤的印象,認為聯華電子沒有任何DRAM的知識或經驗,這不是事實,而且是極端的不實。
 
從1996年到2010年,聯華電子積累了近15年製造DRAM產品的經驗。甚至在某個時間點上,聯華電子內部DRAM團隊人數,超過150人。
 
聯華電子是一個有組織的企業機構,藉由堅實而穩定的團隊,掌握並保存了豐富的DRAM知識和經驗。
 
舉個例子來說,現任聯華電子共同總經理之一的簡山傑,是1996年時開發DRAM產品的RAM 製程開發經理。
 
另一個實例則是: Alliance公司是1996年第一個獲得聯華電子公司授權合作DRAM夥伴之一,該公司是一家總部位於美國的DRAM晶片設計公司,藉由聯華電子的技術進行DRAM製造。
 
除了傳統的DRAM技術外,2009年聯華電子更成功開發了屬於自己的嵌入式DRAM製程技術,這比製造標準型DRAM的過程要複雜得多。
 
聯電同意與晉華公司聯合開發DRAM製程,這是一個與聯電晶圓專工服務完全分開的單獨項目,在做成決策當時,只是一個符合所有合理商業考量的單純商業交易,已經向台灣政府正式提出申請,主管機關亦已於2016年4月核准整個項目。值得一提的是,那時還未聽說有美中貿易戰。
 
自從聯華電子開始為晉華公司開發DRAM製程技術,履行合約義務,聯華電子已經花費了數億新台幣。儘管這個專案的研發團隊成員接近300人,但只有不到10%的人曾在美光公司工作過。
 
相反於美光所提出民事和刑事訴訟製造的假象,聯電的DRAM技術基礎裡的元件設計,是完全不同於美光公司的設計。
 
簡而言之,聯華電子開發的記憶胞架構是3x2佈局的儲存單元,這與美光公司的2x3佈局的儲存單元是完全不同的。
 
另一個錯誤的印象是美光公司在美國開發了25奈米的DRAM技術。事實是,美光公司在2010年初,購買了台灣的瑞晶公司和日本的爾必達公司的25奈米 DRAM技術。
 
聯電不要「在報刊上」進行這場訴訟,但聯電要向我們的客戶和投資人保證,聯電對於任何子虛烏有的控訴和誤認事實的指責,將全力並積極地自我防衛。(財經中心/台北報導)

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