DRAM三強鼎立 中國搶進難度高

出版時間:2015/12/18

【范中興╱台北報導】今年DRAM受到需求不振持續供過於求影響,價格呈現顯著衰退,尤其以標準型記憶體最為明顯,市調機構DRAMeXchange調查,在供應商生產仍保持紀律,未有明顯新增產能,因此今年DRAM各廠仍維持全面獲利。至於明年市場仍維持小幅供過於求,單價持續下滑,獲利能力取決於製程轉進的成本下降。

明年小幅供過於求

2016年中國持續發展半導體的策略不變,仍將有許多購併發生,記憶體更是中國發展的重點項目之一。吳雅婷進一步表示,DRAM市場三強鼎立的狀態結構穩固,引進新的競爭者恐怕導致更嚴重的供過於求,因此三強與中國合作可能性低,使得中國欲進軍DRAM產業的困難度遠高過其他半導體類別。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示,2016年雖然受惠於來自智慧型手機及伺服器的需求影響,單機搭載容量會有顯著提升,各項終端產品仍難有爆發性的發展,預估DRAM需求成長約23%,供給位元成長約為25%,市場仍維持小幅供過於求,單價持續下滑。
吳雅婷表示,各供應商在產能的擴張上皆有所節制,明年的位元產出主要是來自於SK海力士與美光20/21奈米的轉進,晶圓廠產能上,除三星Line17可能再微幅上升、SK海力士M14會陸續啟用外,DRAM總投片量與2015年呈現持平。
隨著市場需求轉變及20奈米逐漸成熟,DDR4的生產比例越來越高,今年DDR4的導入主要在伺服器端,並且已經在第4季取代DDR3成為主流。DRAMeXchange預估,個人電腦新平台Skylake開始採用DDR4,將會在明年第2季起放量,成為主流解決方案。
智慧型手機受惠於20奈米製程產出的LPDDR4普及度提高,蘋果以外的旗艦機以3GB╱4GB為標準規格。吳雅婷指出,明年第2季起就會有單機搭載容量6GB DRAM的機種問市,大幅增加行動式記憶體的需求動能。



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